发明名称 |
具有GeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法 |
摘要 |
本发明提出一种具有GeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。其中该方法包括以下步骤:提供衬底;在衬底之上形成Ge鳍形结构;在Ge鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅;在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口,在开口位置露出Ge鳍形结构;向Ge鳍形结构注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体,以在开口位置形成GeSn层。本发明的鳍式场效应晶体管形成方法能够形成具有GeSn源漏的FinFET,其GeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好,因此晶体管具有良好的电学性能,且本方法具有简单易行、成本低的优点。 |
申请公布号 |
CN103839832A |
申请公布日期 |
2014.06.04 |
申请号 |
CN201410064598.0 |
申请日期 |
2014.02.25 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
王敬;肖磊;赵梅;梁仁荣;许军 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种具有GeSn源漏的鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:提供衬底;在所述衬底之上形成Ge鳍形结构;在所述Ge鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅;在所述栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口,在所述开口位置露出所述Ge鳍形结构;向所述Ge鳍形结构注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体,以在所述开口位置形成GeSn层。 |
地址 |
100084 北京市海淀区100084-82信箱 |