发明名称 碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法及立式镀膜装置
摘要 本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法,其制作过程均在真空环境中进行,步骤为:对衬底进行预加热至160~220℃;将衬底加热至230~320℃后进行碲化锑磁控溅射;将衬底冷却至80~120℃后进行镍钒合金溅射;将上述衬底降温到70℃以下后出料,采用这种方法制得的碲化镉薄膜太阳能电池背接触层镀膜均匀,针孔数量少。本发明还公开了采用上述方法制作碲化镉薄膜太阳能电池背接触层的立式镀膜装置,该装置包括但不限于采用真空阀门串联的预加热腔、保温碲化锑沉积腔、镍钒合金沉积腔、降温出料腔、真空系统等,该装置可实现对衬底的双面同时进行镀膜,增加镀膜有效区间,提高生产效率,易于检修。
申请公布号 CN102628163B 申请公布日期 2014.06.04
申请号 CN201210117624.2 申请日期 2012.04.20
申请人 成都中光电阿波罗太阳能有限公司 发明人 潘锦功;谢义成;刘映天;傅干华
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 泰和泰律师事务所 51219 代理人 魏常巍;伍姝茜
主权项 一种制作碲化镉薄膜太阳能电池背接触层的立式镀膜装置,其特征在于:该制作装置包括采用真空阀门(2)串联的预加热腔(3)、保温碲化锑沉积腔(4)、镍钒合金沉积腔(5)和降温出料腔(6),这四个腔的下方设置有衬底传动装置和真空机组(8),上方设置有氩气控制系统(9);其中,保温碲化锑沉积腔(4)靠近预加热腔(3)的前半部分为加热区(4‑1),后半部分为碲化锑溅射区(4‑2),碲化锑溅射靶头相对安装于碲化锑溅射区(4‑2)两侧的门盖上;镍钒合金沉积腔(5)靠近保温碲化锑沉积腔(4)的前半部分为冷却区(5‑1),后半部分为镍钒合金溅射区(5‑2),镍钒合金溅射靶头相对安装于镍钒合金溅射区(5‑2)两侧的门盖上。
地址 610200 四川省成都市双流西航港经济开发区腾飞三路485号