一种衬底处理系统

摘要

本发明公开一种衬底处理系统，包括去气腔和远程加热单元，其中去气腔包括位于腔内的支撑件以及位于腔壁上的气体输入口；远程加热单元包括用于接收气体的输入口以及与去气腔的气体输入口封闭相连的一个或多个输出口；远程加热单元对接收到的气体进行加热，并将加热后的气体引入所述去气腔，通过气体作为传热介质对去气腔内的半导体衬底加热。本发明能够适用于不同类型的半导体衬底的加热，增加了工艺兼容性。

主权项

一种衬底处理系统，其特征在于，包括：去气腔和远程加热单元，其中：所述去气腔，包括：位于腔内用于承载半导体衬底的支撑件以及位于腔壁上的气体输入口；所述远程加热单元，包括：用于接收气体的输入口、加热单元以及与所述去气腔的气体输入口封闭相连的一个或多个输出口；所述远程加热单元对接收到的气体进行加热，并将加热后的气体引入所述去气腔，通过气体作为传热介质对去气腔内的半导体衬底加热。