发明名称 可变更顶部轮廓的整合顺序
摘要 本发明的实施例一般关于用于处理半导体基板的设备及方法。特别而言,本发明的实施例关于用于形成浅沟槽隔离的设备及方法,所述浅沟槽隔离具有含磨圆底部的凹部。本发明的一个实施例包含:通过从填充的沟槽结构移除一部分材料以及通过磨圆凹部的底部转角而形成填充的沟槽结构中的凹部。磨圆底部转角是通过在基板上沉积与填充于沟槽结构内相同的材料的共形层以及通过从凹部侧壁移除所述材料的共形层而执行的。
申请公布号 CN102224585B 申请公布日期 2014.06.04
申请号 CN200980147107.6 申请日期 2009.11.19
申请人 应用材料公司 发明人 高建德;吕新亮;葛振宾;张梅;霍伊曼·雷蒙德·洪;妮琴·英吉
分类号 H01L21/76(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I 主分类号 H01L21/76(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;钟强
主权项 一种用于处理基板的方法,包含以下步骤:在所述基板中形成沟槽结构,其中所述沟槽结构的侧壁包含第一材料;沉积第二材料以填充所述沟槽结构;平面化所述基板以移除沉积在所述沟槽结构外的所述第二材料;通过从所述填充的沟槽结构移除一部分的所述第二材料,在所述填充的沟槽结构中形成凹部;以及调整所述凹部的轮廓,包含以下步骤:在所述基板之上沉积共形层,其中所述共形层由所述第二材料形成;以及移除所述共形层以暴露于所述沟槽结构外的所述第一材料。
地址 美国加利福尼亚州