一种具有P型埋层结构的槽栅二极管

摘要

一种具有P型埋层结构的槽栅二极管，属于半导体器件技术领域。包括N⁺衬底、背面的金属化阴极和正面的N^-漂移区；N^-漂移区顶部两侧之外是槽型栅电极和栅氧化层；N^-漂移区顶部两侧分别具有一个N型重掺杂区，两N型重掺杂区之间具有一个P型重掺杂区；P型重掺杂区正下方具有两个以上相互间隔、均匀分布的条形P型埋层区；P型埋层区和P型重掺杂区之间具有若干间隔分布的P型柱区。P型埋层区、N型重掺杂区、栅氧层三者之间形成载流子积累区A，相邻两个P型埋层区之间的区域形成电子通路B。本发明通过引入一个P型埋层区，使得器件在不影响反向击穿电压和反向泄露电流的情况下，具有更小的导通压降、更短的反向恢复时间和极低的反向恢复峰值电流。

主权项

一种具有P型埋层结构的槽栅二极管，其结构包括N⁺衬底（2），位于N⁺衬底（2）背面的金属化阴极（1），位于N⁺衬底（2）正面的N^－漂移区（3）和位于整个二极管顶层的金属化阳极（9）；在N^－漂移区（3）的顶部两侧之外分别具有一个槽型栅电极（5），两个槽型栅电极（5）与N^－漂移区（3）之间分别通过各自的二氧化硅栅氧化层（4）相隔离；在N^－漂移区（3）的顶部两侧分别具有一个条形N型重掺杂区（7），两个条形N型重掺杂区（7）之间具有一个条形P型重掺杂区（8）；在条形P型重掺杂区（8）下方、且位于两个二氧化硅栅氧化层（4）中间区域的N^－漂移区（3）中具有至少两个以上相互间隔、且均匀分布的条形P型埋层区（6）；在条形P型埋层区（6）和条形P型重掺杂区（8）之间具有若干间隔分布、且与条形P型埋层区（6）和条形P型重掺杂区（8）分别相连的P型柱区（10），且P型柱区（10）底部只与条形P型埋层区（6）、顶部只与条形P型重掺杂区（8）相连；金属化阳极（9）覆盖于两个条形N型重掺杂区（7）、条形P型重掺杂区（8）和两个槽型栅电极（5）表面。