| 发明名称 | 具有SiGeSn沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种具有SiGeSn沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中形成方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成Ge鳍形结构；向Ge鳍形结构注入同时含有Si和Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGeSn层；在SiGeSn层上形成栅堆叠结构。根据本发明的形成方法，可以得到具有厚度较薄、质量较好的SiGeSn沟道区的FinFET，该方法具有简单易行、成本低的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103839829A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201410063292.3 | 申请日期 | 2014.02.25 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王敬;肖磊;赵梅;梁仁荣;许军 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种具有SiGeSn沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成Ge鳍形结构；向所述Ge鳍形结构注入同时含有Si和Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGeSn层；在所述SiGeSn层上形成栅堆叠结构。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||