| 发明名称 | 双极PNP晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种双极PNP晶体管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；形成于所述第一层间介质层和第一互连线上的第二层间介质层；形成于所述第二层间介质层上的第二互连线；其中，所述电压调变介质层覆盖于所述基区上，并通过所述第一互连线实现电性引出。本实用新型通过在基区上方形成电压调变介质层，所述电压调变介质层通过第一互连线实现电性引出，如此，通过改变电压调变介质层的感应电荷数量可使得基区表面的电荷浓度发生改变，从而实现小电流放大倍数可调。 | ||
| 申请公布号 | CN203631560U | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201320815662.5 | 申请日期 | 2013.12.10 |
| 申请人 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 发明人 | 李小锋;张佼佼;何金祥;杨锐 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种双极PNP晶体管，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；形成于所述第一层间介质层和第一互连线上的第二层间介质层；形成于所述第二层间介质层上的第二互连线；其中，所述电压调变介质层覆盖于所述基区上，并通过所述第一互连线实现电性引出。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州（下沙）经济技术开发区东区10号路308号 | ||