| 发明名称 | 封装方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种封装方法，包括：在第一晶圆的表面形成第一凹槽，在所述阻挡层的表面形成第一金属层，在所述第一金属层内形成第二凹槽；之后，在第二晶圆表面形成第二金属层，并在加热和加压条件下，位于所述第一金属层及第二金属层表面先被熔化的部分第一金属及第二金属先流入所述第二凹槽内，避免第一金属和第二金属过度流失；此外部分第一金属和第二金属融合后，位于所述第一凹槽内，从而提高所述第一晶圆表面的共晶金属的量，提高第一晶圆和第二晶圆的结合强度。 | ||
| 申请公布号 | CN103839844A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201410085891.5 | 申请日期 | 2014.03.10 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 黄锦才 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种封装方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；刻蚀所述第一晶圆，在所述第一晶圆内形成第一凹槽；在所述第一晶圆表面形成第一金属层；所述第一金属层的表面形成第二凹槽；在所述第二晶圆内形成第二金属层；将所述第二晶圆的第一金属层和第二晶圆的第二金属层键合。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||