| 发明名称 | 一种制备氧化锌掺铁室温磁性半导体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备氧化锌掺铁室温磁性半导体的方法，采用纯度为99％的分析纯ZnO粉末和纯度为99％的分析纯Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>粉末为原料进行混合研磨，然后将材料压制成片状或者不压片，并采用特有的烧结工艺，在高温电阻炉里进行大气氛围下的固相反应，完成室温磁性半导体的制备。本发明的制备方法具有工艺简化，无需用球磨机研磨、选用的制备工具和原材料低廉、产量大、填充性好、人工费用低，产品具有良好室温铁磁性和导电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102299257B | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201110169819.7 | 申请日期 | 2011.06.22 |
| 申请人 | 泉州师范学院 | 发明人 | 王锋;黄伟伟;张小婷;连阿强;李珊瑜 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I;H01F1/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人 | 戴中生 |
| 主权项 | 一种制备氧化锌掺铁室温磁性半导体的方法，其特征在于：采用纯度为99%的分析纯ZnO粉末和纯度为99%的分析纯Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>粉末为原料进行混合研磨，然后将材料压制成片状或者不压片，并采用特有的烧结工艺，在高温电阻炉里进行大气氛围下的固相反应，完成室温磁性半导体的制备；所述的原料中Fe和Zn的摩尔比为（0.01‑0.08）：（0.99‑0.92）；所述的材料压制成片状，需要良好半导体导电性能时，采用的原料中Fe和Zn的摩尔比为0.01：0.99；所述的材料不压片时，采用的原料中Fe和Zn的摩尔比为0.08：0.92；所述的烧结工艺包括如下步骤：①在大气氛围下烧结；②控制好烧结的温度变化，在烧制过程中，温度从常温开始，以不超过3℃/分钟的速度，升温至1150℃，烧结总时间在50小时；③烧结完成后获得室温磁性半导体。 | ||
| 地址 | 362000 福建省泉州市丰泽区东海滨城 | ||