| 发明名称 | 一种衬底处理系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种衬底处理系统，包括去气腔、输气单元和气体处理装置，其中去气腔包括承载半导体衬底且位于腔内的支撑件；输气单元包括用于接收气体的输入口以及与所述去气腔封闭相连的一个或多个输出口；气体处理装置包括加热单元，所述气体处理装置与所述输气单元的输出口连接并位于所述支撑件上方；气体处理装置对接收到的气体进行加热，并将加热后的气体引入所述去气腔，通过气体作为传热介质对所述去气腔内的半导体衬底加热。本发明能够有效改善半导体衬底表面热辐射系数对加热温度的影响，实现不同类型半导体衬底的加热兼容性。 | ||
| 申请公布号 | CN103839875A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210480416.9 | 申请日期 | 2012.11.23 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 边国栋;丁培军;王厚工;赵梦欣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;陶金龙 |
| 主权项 | 一种衬底处理系统，其特征在于，包括：去气腔、输气单元和气体处理装置，其中：所述去气腔，包括位于腔内的支撑件,所述支撑件用于承载半导体衬底；所述输气单元，包括用于接收气体的输入口以及与所述去气腔封闭相连的一个或多个输出口；所述气体处理装置，包括加热单元；所述气体处理装置与所述输气单元的输出口连接并位于所述支撑件上方；所述气体处理装置对接收到的气体进行加热，并将加热后的气体引入所述去气腔，通过气体作为传热介质对所述去气腔内的半导体衬底加热。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号北方微电子 | ||