包括多比特单元的磁性随机存取存储装置

摘要

一种磁性随机存取存储(MRAM)单元，包括存储层、感测层和位于所述存储层和所述感测层之间的间隔层。场力线磁耦合到MRAM单元以沿着磁场轴感生磁场，并且存储层和感测层中的至少一个具有相对于磁场轴倾斜的磁各向异性轴。在写入操作期间，存储磁化方向可在m个方向之间切换以便存储对应于m个逻辑状态之一的数据，其中m>2，其中m个方向中的至少一个相对于磁各向异性轴对准，并且m个方向中的至少另一个相对于磁场轴对准。在读取操作期间，相对于存储磁化方向改变感测磁化方向以确定存储层存储的数据。

主权项

一种存储装置，包括：至少一个磁性随机存取存储(MRAM)单元，所述MRAM单元包括存储层，具有存储磁化方向；感测层，具有感测磁化方向；以及间隔层，布置在所述存储层和所述感测层之间；和场力线，磁耦合到所述MRAM单元并且被配置为沿磁场轴感生磁场，其中所述存储层和所述感测层中的至少一个具有磁各向异性轴，其中所述磁各向异性轴相对于所述磁场轴倾斜，其中，在写入操作期间，所述存储磁化方向可在m个方向之间切换以便存储对应于m个逻辑状态之一的数据，其中m>2，所述m个方向中的至少一个方向相对于所述磁各向异性轴对准，并且所述m个方向中的至少另一个方向相对于所述磁场轴对准，并且其中，在读取操作期间，相对于所述存储磁化方向改变所述感测磁化方向，以确定所述存储层存储的数据。