发明名称 |
存储器中的阈值电压补偿 |
摘要 |
通过阈值电压安置来控制电荷存储存储器中的阈值电压,以例如提供更可靠操作及减小例如相邻电荷存储元件及寄生耦合等因素的影响。相邻经编程“侵略者”存储器单元的阈值电压的预补偿或后补偿减小了快闪存储器系统中的阈值电压不确定性。使用具有例如查找表等数据结构的缓冲器提供了可编程阈值电压分布,此使得能够特制多电平单元快闪存储器中的数据状态的分布以例如提供更可靠操作。 |
申请公布号 |
CN103843068A |
申请公布日期 |
2014.06.04 |
申请号 |
CN201280048762.8 |
申请日期 |
2012.08.24 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
维奥兰特·莫斯基亚诺;托马索·瓦利;乔瓦尼·纳索;维沙尔·萨林;威廉·亨利·拉德克;西奥多·T·皮耶克尼 |
分类号 |
G11C16/34(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
孙宝成 |
主权项 |
一种操作存储器的方法,其包括:确定在物理上接近于待读取的单元的至少一个侵略者非易失性存储器单元的数据状态;确定所述待读取的单元的阈值电压;及至少部分基于所述确定的阈值电压及所述潜在侵略者存储器单元的所述确定的数据状态而确定读取操作的输出。 |
地址 |
美国爱达荷州 |