发明名称 具有高K电介质之SONOS记忆体单元
摘要
申请公布号 TWI440189 申请公布日期 2014.06.01
申请号 TW095127942 申请日期 2006.07.31
申请人 史班逊有限公司 美国;格罗方德半导体公司 美国 发明人 白岩英彦;陈兆成;萨加 哈皮里特 卡尔;折元崇嗣;哲昂 折巫格
分类号 H01L29/792 主分类号 H01L29/792
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项
地址 美国