发明名称 半导体发光器件和发光模块
摘要 公开了一种包括多个芯片(3)半导体发光器件(10a)。每一个所述芯片(3)包括:半导体层(15),所述半导体层(15)具有第一面(15a)、形成在与所述第一面(15a)相对的一侧的第二面、以及发光层(12a);以及被设置在所述第二面上的p侧电极(16)和n侧电极(17),并且每一个所述芯片(3)彼此分离开。p侧外部端子(23a)是电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片(3)的所述p侧电极(16)的p侧金属柱(23)的端面。n侧外部端子(24a)是电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片(3)的所述n侧电极(17)的n侧金属柱(24)的端面。层(25)将p侧金属柱(23)与n侧金属柱(24)分离开,并且具有比所述半导体层(15)的硬度更低的硬度。
申请公布号 CN103828053A 申请公布日期 2014.05.28
申请号 CN201280044655.8 申请日期 2012.03.14
申请人 株式会社东芝 发明人 秋元阳介;杉崎吉昭;小岛章弘;樋口和人;西内秀夫;小幡进
分类号 H01L27/15(2006.01)I;H01L33/62(2006.01)I;H01L33/54(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I 主分类号 H01L27/15(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 陈松涛;夏青
主权项 一种半导体发光器件,包括:多个芯片,每一个所述芯片包括:半导体层,所述半导体层具有第一面、形成在与所述第一面相对的一侧的第二面、以及发光层;p侧电极,所述p侧电极被设置在所述第二面上具有所述发光层的区域中;以及n侧电极,所述n侧电极被设置在所述第二面上不具有所述发光层的区域中,并且每一个所述芯片彼此分离开;p侧外部端子,所述p侧外部端子电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片的所述p侧电极;n侧外部端子,所述n侧外部端子相对于所述p侧外部端子分离开,并且电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片的所述n侧电极;以及设置在所述半导体层的延伸线和中心线的交叉部分处的层,所述中心线通过所述p侧外部端子和所述n侧外部端子之间的中点,所述中心线垂直于接合所述p侧外部端子和所述n侧外部端子的线,并且所述中心线垂直于所述发光层,所述层具有比所述半导体层的硬度更低的硬度,所述半导体层未被设置在所述中心线上,并且所述中心线位于所述多个芯片之间。
地址 日本东京都