半导体器件

摘要

半导体元件（9）的元件电极（12、17）设置在单元区（1）中，而电连接到半导体衬底（6）的最外周电极（21）设置在周边区（2）中。在周边区（2）中，第二导电型层（7）设置在超级结结构之上。电位分割区（23）设置在第二导电型层（7）之上，以电连接元件电极（12、17）和最外周电极（21），并还将元件电极（12、17）和最外周电极（21）之间的电压分成多个级。当从半导体衬底（6）的厚度方向看时，电位分割区（23）的一部分与周边区（2）重叠。

主权项

一种半导体器件，包括单元区（1）和包围所述单元区（1）的周边区（2），所述半导体器件包括：半导体衬底（6），其包括第一导电型层（3）和形成在所述第一导电型层（3）之上并用作漂移层的第一导电型柱区（4）和第二导电型柱区（5），所述第一导电型柱区（4）和所述第二导电型柱区（5）形成超级结结构，所述半导体衬底（6）的一部分包括在所述单元区（1）中，而所述半导体衬底（6）的另一部分包括在所述周边区（2）中；半导体元件（9），其被设置在所述单元区（1）中；所述半导体元件（9）的元件电极（12、17），其被设置在所述单元区（1）中；最外周电极（21），其电连接到所述周边区（2）中的所述半导体衬底；第二导电型层（7），其形成在所述周边区（2）中的所述超级结结构之上；以及电位分割区（23），其形成在所述第二导电型层（7）之上，以将所述元件电极（12、17）电连接到所述最外周电极（21），并且还将所述元件电极（12、17）和所述最外周电极（21）之间的电压分割成多个级，当从所述半导体衬底（6）的厚度方向看时，所述电位分割区（23）的一部分与所述周边区（2）重叠。