| 发明名称 | QFN 框架制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种QFN框架制作方法，包括步骤：S101：提供一定厚度的金属片条；S102：在所述金属片条的正面和背面镀感光材料，之后在金属片条的正面和背面分别进行掩膜；S103：对金属片条正面和背面分别进行光刻，以在正面形成一定密度分布的金属布线、且在背面形成金属凸点；S104：将芯片与金属布线电连接，并用塑封底填料将芯片固定和封装在金属片条上；S105：将金属片条背面腐蚀直至分隔开正面的不同金属布线。本发明提供的QFN框架制作方法，既可以在金属的正面进行布线，又可以以节约快捷的方法完成金属背面凸点的形成，成本较低，具有较好的实际操作性，并且封装体的厚度也适应了越来越薄的趋势。 | ||
| 申请公布号 | CN103824782A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201410043037.2 | 申请日期 | 2014.01.29 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 张卫红;张童龙 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人 | 孟阿妮 |
| 主权项 | 一种QFN框架制作方法，其特征在于，包括步骤：S101：提供一定厚度的金属片条；S102：在所述金属片条的正面和背面镀感光材料，之后在金属片条的正面和背面分别进行掩膜；S103：对金属片条正面和背面分别进行光刻，以在正面形成一定密度分布的金属布线、且在背面形成金属凸点；S104：将芯片与金属布线电连接，并用塑封底填料将芯片固定和封装在金属片条上；S105：将金属片条背面腐蚀直至分隔开正面的不同金属布线。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||