发明名称 光电转换元件、光电化学电池及其中所使用的金属络合物色素
摘要 一种光电转换元件,其是具有积层结构的光电转换元件,所述积层结构是在导电性支撑体上之侧配设具有吸附有色素的半导体微粒子的层的感光体层、电荷移动体层、相对电极的积层结构,所述色素是下述式(1)所表示的金属络合物色素。ML<sup>1</sup><sub>m1</sub>L<sup>2</sup><sub>m2</sub>X<sub>mX</sub>·CI (1)[式(1)中,M表示金属原子。L<sup>1</sup>表示下述式(L1)所表示的配体。L<sup>2</sup>表示下述式(L2)所表示的配体。X表示单牙的配体。m1及m2分别表示1。mX表示0或1。CI表示为了中和电荷而必需抗衡离于的情况下的抗衡离子]<img file="DDA0000482491390000011.GIF" wi="1048" he="215" />[式(L1)中,Za、Zb及Zc分别独立地表示为了形成5元环或6元环所必需的非金属原子群组。其中,Za、Zb及Zc所形成的环中的至少1个具有酸性基]<img file="DDA0000482491390000012.GIF" wi="1058" he="256" />[式(L2)中,环B表示5元环以上的含氮芳香环。环A及环C表示特定结构的含氮芳香环。a表示0或1。V表示哈米特规则的σp值为正的取代基。n表示1以上的整数]。
申请公布号 CN103828122A 申请公布日期 2014.05.28
申请号 CN201280046948.X 申请日期 2012.09.26
申请人 富士胶片株式会社 发明人 薄达也;谷征夫;小林克
分类号 H01M14/00(2006.01)I;C09B57/10(2006.01)I;H01L31/04(2014.01)I 主分类号 H01M14/00(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 1.一种光电转换元件,其是具有积层结构的光电转换元件,所述积层结构是在导电性支撑体上之侧配设具有吸附有色素的半导体微粒子的层的感光体层、电荷移动体层、相对电极的积层结构,其中:所述色素是下述式(1)所表示的金属络合物色素;ML<sup>1</sup><sub>m1</sub>L<sup>2</sup><sub>m2</sub>X<sub>mX</sub>·CI   (1)[式(1)中,M表示金属原子;L<sup>1</sup>表示下述式(L1)所表示的配体;L<sup>2</sup>表示下述式(L2)所表示的配体;X表示单牙的配体m1及m2分别表示1;mX表示0或1;CI表示为了中和电荷而必需抗衡离子的情况下的抗衡离子][化1]<img file="FDA0000482491360000011.GIF" wi="1126" he="236" />[式(L1)中,Za、Zb及Zc分别独立地表示为了形成5元环或6元环所必需的非金属原子群组;其中,Za、Zb及Zc所形成的环中的至少1个具有酸性基][化2]<img file="FDA0000482491360000012.GIF" wi="1122" he="286" />[式(L2)中,环B表示5元环以上的含氮芳香环;环A及环C分别独立地表示下述式(L2-1)~式(L2-11)的任意环;a表示0或1;V表示哈米特规则的σp值为正的取代基;其中,环A及环C的任意环为下述式(L2-2)时,其至少1个所具有的取代基V的哈米特规则的σp不足0.54;n表示1以上的整数;在n为2以上时,所述σp值以n个V的σp值的和进行评价][化3]<img file="FDA0000482491360000021.GIF" wi="1547" he="941" />[式中,V、n与式(L2)中的V、n同义;此处,*表示结合键;R表示取代基,m表示0以上的整数]。
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