| 发明名称 | 薄膜晶体管、其制备方法和包括它的平板显示装置 | ||
| 摘要 | 一种具有含氧的化合物半导体作为活化层的薄膜晶体管，制备所述薄膜晶体管的方法和具有所述薄膜晶体管的平板显示装置，其中所述薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅极；活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘，并由含氧的化合物半导体形成；形成在所述活化层上的钝化层；和形成为与所述活化层接触的源极和漏极，形成所述源极和所述漏极以，其中所述钝化层包括钛的氧化物(TiO<sub>x</sub>)或钛的氮氧化物(TiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>)。 | ||
| 申请公布号 | CN101794819B | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201010002378.7 | 申请日期 | 2010.01.12 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 河载兴;李钟赫;宋英宇;崔千基 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王琦;王珍仙 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：基板；形成在所述基板上的栅极；活化层，所述活化层形成在所述栅极上，通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘，并由含氧的化合物半导体形成；形成在所述活化层上的钝化层；和源极和漏极，所述源极和漏极形成为与所述活化层接触，其中所述钝化层包括钛的氧化物（TiO<sub>x</sub>）；且所述活化层包括沟道区、源区和漏区，其中所述钝化层形成为仅覆盖所述活化层的沟道区，且所述源极和漏极分别连接所述活化层的源区和漏区；所述源极和漏极分别直接位于所述活化层的所述源区和漏区上；其中所述钝化层通过使用金属靶的直流反应溅射法形成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||