| 发明名称 | 非水电解质二次电池、负电极、负电极材料、和Si-O-Al复合物的制备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及非水电解质二次电池、负电极、负电极材料、和Si-O-Al复合物的制备。本发明提供了包含硅、氧化硅和氧化铝的Si-O-Al复合物，其表现出如下的粉末XRD谱图，其中在28.3°处的硅信号强度是21°附近的信号强度的1至9倍。使用包含该Si-O-Al复合物的负电极材料来构造非水电解质二次电池，该电池具有改善的第1次循环充电/放电效率和循环性能，同时维持氧化硅的高电池容量和在充电时的低体积膨胀。 | ||
| 申请公布号 | CN101662013B | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN200910166676.7 | 申请日期 | 2009.08.26 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 中西铁雄;渡边浩一朗 |
| 分类号 | H01M4/02(2006.01)I;H01M4/36(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/48(2006.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M4/04(2006.01)I;H01M10/36(2006.01)I;H01M10/40(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 用于非水电解质二次电池的负电极材料，包含：Si‑O‑Al复合物作为活性材料，该Si‑O‑Al复合物含有硅、硅的氧化物形式和铝的氧化物形式，其中所述Si‑O‑Al复合物在进行粉末X射线衍射时表现出包括如下信号的谱图：21°附近的信号和在28.3°处归属于硅的信号，在28.3°处的信号强度是21°附近的信号强度的1至9倍；并且所述Si‑O‑Al复合物具有硅微晶分散在Si‑O‑Al复合物中的结构。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||