等离子体蚀刻方法

摘要

本发明提供即使对于深度较深的孔也能够蚀刻成良好的形状的等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和计算机存储介质。本发明的等离子体蚀刻方法，由形成为规定图案的光致抗蚀剂层、位于上述光致抗蚀剂层的下层的有机类的防反射膜、位于上述防反射膜的下层的SiON膜和位于上述SiON膜的下层的无定形碳层构成多层掩膜，利用作为最终的掩膜的无定形碳层的图案，对位于上述无定形碳层的下层的硅氧化膜或硅氮化膜进行等离子体蚀刻，在开始上述硅氧化膜或上述硅氮化膜的等离子体蚀刻时的初始掩膜，是在上述无定形碳层之上残留有上述SiON膜的状态，并且上述无定形碳层的膜厚/残留的上述SiON膜的膜厚≤14。

主权项

一种在处理腔室内对在基板上形成的规定图案的光致抗蚀剂层、有机类的防反射膜、SiON膜、无定形碳层、和硅氧化膜或硅氮化膜进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法，该等离子体蚀刻方法的特征在于，包括：准备基板的工序，该基板具有：形成有规定图案的所述光致抗蚀剂层、所述有机类的防反射膜、所述SiON膜、所述无定形碳层、和所述硅氧化膜或硅氮化膜；第一蚀刻工序，其以所述光致抗蚀剂层为掩膜，对所述防反射膜和所述SiON膜进行蚀刻；第二蚀刻工序，其以所述光致抗蚀剂层、所述防反射膜和所述SiON膜为掩膜，对所述无定形碳层进行蚀刻；和第三蚀刻工序，其以所述SiON膜和所述无定形碳层为掩膜，对所述硅氧化膜或硅氮化膜进行蚀刻，所述第一蚀刻工序，对所述防反射膜和所述SiON膜进行蚀刻，使得在所述防反射膜上，所述光致抗蚀剂层残留规定的残膜量，所述第二蚀刻工序，对所述无定形碳层进行蚀刻，使得按照所述无定形碳层的膜厚与残留的所述SiON膜的膜厚之比成为所述无定形碳层的膜厚／残留的所述SiON膜的膜厚≤14的方式，在所述无定形碳层上以期望的膜厚残留所述SiON膜，并且，所述第三蚀刻工序，以所述无定形碳层的膜厚与残留的所述SiON膜的膜厚之比为所述无定形碳层的膜厚／残留的所述SiON膜的膜厚≤14的所述SiON膜和所述无定形碳层为掩膜，对所述硅氧化膜或硅氮化膜进行蚀刻。