| 发明名称 | 沟槽隔离结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种沟槽隔离结构及其形成方法，所述沟槽隔离结构包括：半导体基底；沟槽，形成于所述半导体基底的表面上，其中填充有介质层，所述介质层的材料为晶体材料。本发明利于减小边沟的尺寸，改善半导体器件性能的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102479738B | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201010557395.7 | 申请日期 | 2010.11.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;赵超;梁擎擎 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种沟槽隔离结构，包括：半导体基底；沟槽，形成于所述半导体基底上，其中填充有介质层，其特征在于，所述介质层的材料为晶体材料；所述介质层中具有掺杂离子，使所述介质层的晶格常数大于或小于所述半导体基底的晶格常数。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||