发明名称 用于非易失性存储器装置的p+硅锗材料的种子层及方法
摘要 一种形成非易失性存储器装置的方法包括:提供具有表面的衬底;沉积电介质来覆盖所述表面;形成第一布线结构来覆盖所述电介质;沉积硅材料来覆盖所述第一布线结构,所述硅层具有小于大约100埃的厚度;使用所述硅层作为种子层,在范围从大约400摄氏度至大约490摄氏度的沉积温度下沉积硅锗材料来覆盖所述第一布线结构,其中,所述硅锗材料基本上没有空隙,并且具有多晶体特性;沉积电阻型开关材料(例如,非晶硅材料)来覆盖所述硅锗材料;沉积导电材料来覆盖所述电阻型材料;以及,形成第二布线结构来覆盖所述导电材料。
申请公布号 CN103828047A 申请公布日期 2014.05.28
申请号 CN201180073598.1 申请日期 2011.07.22
申请人 科洛斯巴股份有限公司 发明人 M·H·克拉克;S·B·赫纳
分类号 H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I 主分类号 H01L27/115(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 许向彤;陈英俊
主权项 一种形成非易失性存储器装置的方法,包括:提供具有表面区域的衬底;沉积第一介电材料来覆盖所述衬底的所述表面区域;形成第一布线结构来覆盖所述第一介电材料;沉积硅材料来覆盖所述第一布线结构,所述硅层的特征在于厚度不大于大约100埃;使用所述硅材料作为种子层,在范围从大约400摄氏度至大约490摄氏度的沉积温度下沉积硅锗材料来覆盖所述第一布线结构,所述硅锗材料基本上没有空隙,并且具有多晶体特性;沉积电阻型开关材料来覆盖所述硅锗材料,所述电阻型开关材料包括非晶硅材料;沉积导电材料来覆盖所述电阻型材料;以及形成第二布线结构来覆盖所述导电材料。
地址 美国加利福尼亚州