| 发明名称 | 一种硅衬底和将半导体器件与该硅衬底剥离的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有特殊结构的硅衬底，其特征在于，在硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比硅本体材料小。本发明还涉及将生长在上述硅衬底上的半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法，采用这种剥离方法可以将成膜过程中由于热膨胀系数不同所产生的残余应力在整个硅衬底平面范围内均匀地释放，减少因应力释放不均匀造成半导体器件的开裂，有效而简单地将硅衬底与半导体器件进行剥离，提高了半导体器件的合格率。 | ||
| 申请公布号 | CN103824766A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201410093908.1 | 申请日期 | 2014.03.13 |
| 申请人 | 华延芯光（北京）科技有限公司 | 发明人 | 邵春林;林岳明;汪英杰 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京权泰知识产权代理事务所(普通合伙) 11460 | 代理人 | 任永利 |
| 主权项 | 一种硅衬底，其特征在于，在硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比硅本体材料小。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区宏达北路12号A813室 | ||