使用经掺杂的凸起源极和漏极区的源极和漏极掺杂

摘要

本发明涉及使用经掺杂的凸起源极和漏极区的源极和漏极掺杂，一种方法包含提供含有基底、位于基底上的电绝缘层以及位于电绝缘层上的半导体特征的半导体结构。栅极结构是形成于半导体特征上。经原位掺杂的半导体材料是沉积在半导体特征相邻栅极结构的部位上。掺质是从经原位掺杂的半导体材料扩散到半导体特征相邻栅极结构的部位内，进入半导体特征相邻栅极结构的部位的掺质的扩散在半导体特征中形成经掺杂的源极和漏极区。

主权项

一种方法，包含：提供包含基底、位于该基底上的电绝缘层和位于该电绝缘层上的半导体特征的半导体结构；形成栅极结构于该半导体特征上；沉积经原位掺杂的半导体材料于该半导体特征相邻该栅极结构的部位上；以及使掺质从该经原位掺杂的半导体材料扩散到该半导体特征相邻该栅极结构的该部位内，该掺质进入该半导体特征相邻该栅极结构的该部位的扩散在该半导体特征中形成经掺杂的源极与漏极区。