| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, bei dem–ein Substrat (1) aus Halbleitermaterial mit einer Hauptseite (2) bereitgestellt wird,–ein Leiterbereich (23) aus strukturierten Metallebenen (3) in einem Zwischenmetalldielektrikum (8) über der Hauptseite (2) hergestellt wird,–mindestens eine von der Hauptseite (2) des Substrates (1) abgewandte Anschlusskontaktfläche (6) an einer der Metallebenen (3) vorgesehen wird,–ein Handling-Wafer (16) an dem Leiterbereich (23) angebracht wird,–vor dem Anbringen des Handling-Wafers (16) eine erste Stoppschicht (13) aufgebracht wird,–eine zweite Stoppschicht (15) aus einem Material, das bezüglich der ersten Stoppschicht (13) selektiv entfernt werden kann, zwischen dem Handling-Wafer (16) und dem Leiterbereich (23) angeordnet wird,–weitere Verfahrensschritte von einer der Hauptseite (2) gegenüberliegenden Seite des Substrates (1) her durchgeführt werden und–der Handling-Wafer (16) entfernt wird, wobei–bevor die zweite Stoppschicht (15) aufgebracht wird, die erste Stoppschicht (13) von der Anschlusskontaktfläche (6) entfernt wird, hierbei eine Öffnung (12) über der Anschlusskontaktfläche (6) gebildet wird und ein Seitenwandspacer (22) in der Öffnung (12) angeordnet wird,–das Entfernen des Handling-Wafers (16) auf der zweiten Stoppschicht (15) endet und–die zweite Stoppschicht (15) selektiv zu der ersten Stoppschicht (13) entfernt wird. |
