| 摘要 |
1. Способ импульсно-периодической ионной очистки поверхности материалов путем генерации плазмы с импульсно-периодическим ускорением из нее ионов при подаче на проводящий держатель образцов высокочастотных, короткоимпульсных потенциалов смещения длительностью 0,1-10 мкс с коэффициентом заполнения импульсов 50-99% и амплитудой 1-10 кВ, отличающийся тем, что амплитуду импульсного потенциала смещения для планарной геометрии выбирают исходя из выражения:,где U- амплитуда потенциала смещения на проводящем электроде;d - толщина диэлектрика;ε - диэлектрическая проницаемость диэлектрика;ε- диэлектрическая постоянная;S - площадь диэлектрического образца;I- ток смещения электронов;I- ток ускоренных ионов;I- ток вторичных электронов,при этом длительность импульса напряжения смещения выбирают меньше времени зарядки емкости системы, образованной потенциальным проводящим электродом и эмиссионной границей плазмы, а ионный поток формируют при условии, что длительность паузы между импульсами ускоряющего напряжения будет много меньше времени прохождения плазменного потока через ускоряющий зазор.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при последовательном воздействии на мишень потока ускоренных ионов и плазмы условие выполнения режима ионного распыления определяют выражением:(T-τ)/τ<<Q,где τ- длительность импульсов потенциала смещения;T - период их повторения;Q - коэффициент ионного распыления материала.3. Способ по 1, отличающийся тем, что плазму генерируют непрерывным вакуумно-дуговым разрядом.4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что плазму дугового разряда формируют с использованием катода, состоящего из различных хи� |
