发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer transparenten Kohlenstoff-Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht, Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht und Feldeffekttransistor mit dieser |
摘要 |
<p>Verfahren zum Ausbilden einer gereinigten Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht, das aufweist: Abscheiden einer Nanoröhren-Dünnschicht über einem Substrat, um eine Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen; Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, die das Substrat nicht berührt, um eine gereinigte Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen; Abscheiden einer Schicht Graphen über der gereinigten Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, um eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen; und Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht, um eine gereinigte Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen, wobei die Hybriddünnschicht eine verbesserte elektrische Leistungsfähigkeit dadurch aufweist, dass der Widerstand der Nanoröhren verringert wird, indem die Kontaktfläche durch die Verwendung von Graphen als Brücke vergrößert wird.</p> |
申请公布号 |
DE102012220314(B4) |
申请公布日期 |
2014.05.22 |
申请号 |
DE201210220314 |
申请日期 |
2012.11.08 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
BOL, AGEETH A.;CHANDRA, BHUPESH;KASRY, AMAL;MAAROUF, AHMED;MARTYNA, GLENN J.;TULEVSKI, GEORGE S. |
分类号 |
H01L21/18;B82B3/00;B82Y30/00;C01B31/04;C23C16/26;C30B25/18;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/775;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/18 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|