CET und GATE-Leckstromverringerung in Metall-GATE-Elektrodenstrukturen mit grossemε

摘要

Verfahren mit: Bilden einer Gate-Dielektrikumsschicht auf einem Halbleitergebiet eines Halbleiterbauelements, wobei die Gate-Dielektrikumsschicht ein dielektrisches Material mit großemεenthält; Bilden einer Diffusionsschicht über der Gate-Dielektrikumsschicht, wobei die Diffusionsschicht eine Metallsorte enthält; Ausführen einer ersten Wärmebehandlung derart, dass ein Teil der Metallsorte durch Diffusion in die Gate-Dielektrikumsschicht verteilt wird; Entfernen der Diffusionsschicht derart, dass die Gate-Dielektrikumsschicht freigelegt ist; Ausführen einer zweiten Wärmebehandlung an der freigelegten Gate-Dielektrikumsschicht, wobei die Gate-Dielektrikumsschicht bei einer Temperatur von 400°C oder höher ausgeheizt wird; Bilden eines Elektrodenmaterials über der Gate-Dielektrikumsschicht; und Bilden einer Gate-Elektrodenstruktur eines Transistors auf der Grundlage des Elektrodenmaterials und der Gate-Dielektrikumsschicht.