发明名称 发酵法制备多孔碳化硅的方法
摘要 本发明公开了一种发酵法制备多孔碳化硅的方法,它的步骤如下:(1)将淀粉发酵,得到发酵产物;淀粉可以是各种淀粉,发酵方法包括酵母发酵、酵子发酵、牛奶发酵等,不用控制发酵物的酸度,只保证达到所要求的孔隙率和孔隙结构即可,发酵产物可以让其转变为麦芽糖体,也可不发生;(2)将发酵产物在300-1300℃的条件下碳化10-120分钟,得到碳化产物;(3)将碳化产物放入真空炉中,真空炉的底部铺Si粉,Si粉的质量为碳化产物质量的4-20%,在1450-1800℃保温10-40min,得到多孔碳化硅陶瓷。本发明可获得孔隙率达30%以上的多孔碳化硅陶瓷。本发明工艺简单,资源丰富,绿色环保,可规模化生产。
申请公布号 CN103803983A 申请公布日期 2014.05.21
申请号 CN201410068538.6 申请日期 2014.02.27
申请人 中原工学院 发明人 张小立
分类号 C04B35/565(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/565(2006.01)I
代理机构 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人 张绍琳;张真真
主权项 一种发酵法制备多孔碳化硅的方法,其特征在于,它的步骤如下:(1)将淀粉发酵,得到发酵产物;(2)将发酵产物在300‑1300℃的条件下碳化10‑120分钟,得到碳化产物;(3)将碳化产物放入真空炉中,真空炉的底部铺Si粉,Si粉的质量为碳化产物质量的4‑20%,在1450‑1800℃保温10‑40min,得到多孔碳化硅陶瓷。
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