| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种鳍结构制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成初始鳍；选择性刻蚀初始鳍中的第一半导体层，使其横向凹入；在衬底上形成隔离层，该隔离填充所述横向凹入，隔离层除填充横向凹入之外的部分的顶面低于第一半导体层的顶面、高于第一半导体层的底面，从而限定出位于隔离层上方的鳍；以及在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠。 | ||
| 申请公布号 | CN103811339A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201210447259.1 | 申请日期 | 2012.11.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成初始鳍；选择性刻蚀初始鳍中的第一半导体层，使其横向凹入；在衬底上形成隔离层，该隔离填充所述横向凹入，隔离层除填充横向凹入之外的部分的顶面低于第一半导体层的顶面、高于第一半导体层的底面，从而限定出位于隔离层上方的鳍；以及在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||