发明名称 |
红外探测器及其制造方法 |
摘要 |
本发明提出一种红外探测器及其制造方法,在其硅衬底上依次沉积有金属反射层、介质层、牺牲层、敏感材料探测层和金属电极。金属反射层具有金属反射图案。介质层的高度与金属反射层的高度一致。本发明还提出上述红外探测器的制造方法,包括以下步骤:在硅衬底上形成金属反射层并实现其图形化;在金属反射层上形成介质层,并实现其平坦化;刻蚀介质并停在金属层上表面,确定介质层的高度与金属反射层的高度一致;沉积牺牲层;以及制作微桥红外吸收结构。 |
申请公布号 |
CN101445215B |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN200810201307.2 |
申请日期 |
2008.10.16 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司 |
发明人 |
康晓旭;姜利军 |
分类号 |
B81B7/02(2006.01)I;G01J5/10(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种红外探测器,其特征是,包括:硅衬底;金属反射层,沉积在该硅衬底上,该金属反射层具有凹槽以构成金属反射图案;介质层,沉积于凹槽内,且该介质层的高度与该金属反射层的高度一致;牺牲层,沉积在该介质层和该金属反射层上,并光刻刻蚀形成通孔;敏感材料探测层,沉积在该牺牲层上;以及金属电极,沉积在该敏感材料探测层上。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区 |