| 发明名称 | 改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法，包括：1）进行SONOS器件自对准接触孔刻蚀；2）在接触孔的侧壁和底部以及SONOS器件中的未掺杂氧化膜上方，成长氮化硅膜；3）刻蚀氮化硅膜，使只在接触孔侧壁上保留氮化硅膜；4）用传统湿法流程清洗去除刻蚀产生的聚合物，得到SONOS器件自对准接触孔。本发明可以弥补常规自对准接触孔刻蚀中造成的栅极上侧墙的过度损耗，能够明显增加氮化硅膜侧墙残留的厚度，避免栅极与金属线短路，改善产品的自对准接触孔漏电，提高接触孔击穿电压，扩大SONOS器件自对准接触孔刻蚀工艺窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN103811406A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201210436223.3 | 申请日期 | 2012.11.05 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 肖泽龙;陆连;袁苑 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 高月红 |
| 主权项 | 一种改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法，其特征在于，包括步骤：1）进行SONOS器件自对准接触孔刻蚀；2）在接触孔的侧壁和底部以及SONOS器件中的未掺杂氧化膜上方，成长氮化硅膜；3）刻蚀氮化硅膜，使只在接触孔侧壁上保留氮化硅膜；4）清洗，得到SONOS器件自对准接触孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||