| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供具有栅极结构的半导体衬底；在栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；在所述开口内形成第一应力层；对所述第一应力层进行离子注入；形成填充满所述开口的第二应力层。本发明的晶体管形成方法形成的晶体管性能佳。 | ||
| 申请公布号 | CN103811347A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201210454774.2 | 申请日期 | 2012.11.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 徐依协;金兰;涂火金 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供具有栅极结构的半导体衬底；在栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；在所述开口内形成第一应力层；对所述第一应力层进行离子注入；形成填充满所述开口的第二应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||