一种高压发光二级管的制备方法

摘要

一种高压发光二级管的制备方法，涉及GaN材料发光二极管技术领域。本发明的方法步骤为：①采用ICP刻蚀、RIE刻蚀、激光刻蚀或者钻石划片的工艺在发光二级管芯片的上表面刻蚀出隔离沟槽；②用化学刻蚀液对刻蚀出的隔离沟槽进行腐蚀，获得隔离沟槽及其侧壁一定的形貌，各隔离沟槽围城的中间部分构成多个串联或者并联在一起的发光单元。同现有技术相比，本发明可以根据用户情况选择合适的刻蚀方式实现，并增加了湿法腐蚀工艺使沟槽和侧壁形成理想形貌，能有效提高高压LED芯片的光效。

主权项

1.一种高压发光二级管的制备方法，其步骤为：采用ICP刻蚀、RIE刻蚀、激光刻蚀或者钻石划片的工艺在发光二级管芯片的上表面刻蚀出隔离沟槽（3）；用化学刻蚀液对刻蚀出的隔离沟槽（3）进行腐蚀，获得隔离沟槽（3）及其侧壁一定的形貌，各隔离沟槽（3）围城的中间部分构成多个串联或者并联在一起的发光单元（1）。