发明名称 |
硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法 |
摘要 |
本发明涉及一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法,包括输送滚轮、储液盒和进液管道,储液盒内具有储液腔体,储液盒设置在输送滚轮的上方,反应液通过进液管道进入储液盒,储液盒的底部设置多个将反应液喷向通过输送滚轮输送的硅片的上表面的喷液孔。反应液从硅片上方的储液盒的喷液孔均匀喷向通过其下方的硅片,使反应液在硅片表面溢流。本发明的有益效果是:通过喷射反应液,使反应液在硅片表面溢流,既提高了反应液与硅片的反应速率,又保证了刻蚀均匀性。 |
申请公布号 |
CN103805998A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201410075181.4 |
申请日期 |
2014.03.03 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
卫志敏;肖新民;丁志强;祁宏山;王文杰;彭文龙 |
分类号 |
C23F1/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23F1/08(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
张晓东 |
主权项 |
一种硅片湿法刻蚀设备,其特征是:包括输送滚轮(1)、储液盒(2)和进液管道(3),储液盒(2)内具有储液腔体,储液盒(2)设置在输送滚轮(1)的上方,反应液通过进液管道(3)进入储液盒(2),储液盒(2)的底部设置多个将反应液喷向通过输送滚轮(1)输送的硅片(4)的上表面的喷液孔(5)。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |