一种碳化硅单晶晶片表面及平整度的调整方法

摘要

本发明提供了一种通过湿法刻蚀改善碳化硅单晶晶片平整度和晶片表面的方法。该方法通过碳化硅单晶晶片的清洗、预热、吹氧刻蚀等方法，实现单晶碳化硅晶片表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷、表面应力和损伤层，从而将碳化硅晶片的平整度能够调整到Warp值＜15微米(μm)、绝对Bow值＜15μm，最终获得高质量的单晶碳化硅晶片。

主权项

一种碳化硅单晶晶片表面及平整度的调整方法，该方法通过湿法刻蚀技术得到的碳化硅单晶晶片表面最大限度消除了表面缺陷和损伤层，同时可以迅速调整晶片的面型，其特征在于，该方法包括如下步骤： (1)先将精磨或抛光后的碳化硅单晶晶片进行清洗，去除表面的有机物、金属离子、重金属离子和氧化物； (2)将清洗后的碳化硅单晶晶片放入预热箱中进行预热处理，预热温度控制在刻蚀温度上下300℃范围内，所述预热温度与晶片尺寸有关，晶片尺寸较小时取偏差较大的温度，晶片尺寸较大时，取偏差较小的温度； (3)将预热后的晶片浸入氢氧化钾+氢氧化钠熔盐中进行刻蚀；刻蚀过程中，维持刻蚀温度不变，且同时吹入氧气，直到刻蚀完成； (4)刻蚀后的晶片从熔盐中取出，放置于保温炉中降温； (5)将经上述刻蚀处理后的碳化硅单晶晶片进行清洗，以去除表面的碱性残留物，所述处理后的碳化硅单晶晶片的表面粗糙度小于0.5纳米； (6)将经上述清洗后的碳化硅单晶晶片面型的参数为TTV<0.5μm、Bow<0.1μm、Warp<0.1μm。