| 摘要 |
Интегральный инжекционный лазер, модулирующий частоту излучения посредством управляемой передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей заряда, содержащий полуизолирующую подложку, квантово-размерную активную область собственной проводимости, верхний и нижний волноводные слои, примыкающие соответственно сверху и снизу к квантово-размерной активной области собственной проводимости, область эмиттера первого типа проводимости, примыкающую к нижнему волноводному слою, область эмиттера второго типа проводимости, омический контакт к области эмиттера первого типа проводимости, омический контакт к области эмиттера второго типа проводимости, отличающийся тем, что в него введены верхняя управляющая область второго типа проводимости, примыкающая к верхнему волноводному слою, нижняя управляющая область второго типа проводимости, примыкающая к нижнему волноводному слою, нижняя управляющая область первого типа проводимости, примыкающая сверху к подложке, а снизу - к нижней управляющей области второго типа проводимости и образующая с ней p-n-переход, омический контакт к нижней управляющей области первого типа проводимости, управляющий металлический контакт, примыкающий сверху к верхней управляющей области второго типа проводимости и образующий с ней переход Шоттки, при этом области эмиттеров первого и второго типов проводимости имеют горизонтальное взаимное расположение, верхняя и нижняя управляющие области второго типа проводимости являются соответственно верхней и нижней областями оптического ограничения, квантово-размерная активная область образует гетеропереходы второго типа с ве� |
