Verfahren zur Ermittlung des Gradienten einer inhomogenen Dotierungskonzentration in stabfoermigen Halbleiterkristallen von einheitlichem Leitungstyp,申请号DE1960S066848-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Ermittlung des Gradienten einer inhomogenen Dotierungskonzentration in stabfoermigen Halbleiterkristallen von einheitlichem Leitungstyp
摘要
申请公布号	DE1133475(B)	申请公布日期	1962.07.19
申请号	DE1960S066848	申请日期	1960.01.29
申请人	SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	ZERBST DIPL.-PHYS. DR. MANFRED;WINSTEL DIPL.-PHYS. GUENTHER
分类号	C30B13/28;H01L21/00	主分类号	C30B13/28
代理机构		代理人
主权项
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