| 摘要 |
<p>Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate miteinander, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: a) Ausbilden von Stufenstrukturen (1) auf und/oder in einer ersten Hauptfläche (10a) eines ersten Substrats (10), das eine Mehrzahl integrierter Schaltungen (8) aufweist, wobei die Stufenstrukturen (1) zwischen den integrierten Schaltungen (8) verlaufen, b) Ausbilden von ersten Leiterbahnen (11), die von zumindest einigen Kontaktanschlüssen (7) der jeweiligen integrierten Schaltungen (8) bis zu den Stufenstrukturen (1) reichen und Seitenflanken (4) der Stufenstrukturen (1) bedecken, c) Verbinden des ersten Substrats (10) auf der Seite seiner ersten Hauptfläche (10a) mit einem weiteren Substrat (13) oder mit einem Stapel (14) weiterer Substrate, vorzugsweise durch Substratbonden, d) Durchtrennen des ersten Substrats (10) von einer zur ersten Hauptfläche (10a) entgegengesetzten zweiten Hauptfläche (10b) her in der Weise, dass das erste Substrat (10) in eine Mehrzahl von Substratstücken (16), die jeweils eine der integrierten Schaltungen (8) aufweisen, zerteilt wird und in Zwischenräumen (18) zwischen den Substratstücken (16) die ersten Leiterbahnen (11) zugänglich werden, und e) Ausbilden von zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) her derart, dass das Material für die zweiten Leiterbahnen (12) im Bereich der Seitenflanken (4) der Stufenstrukturen (1) unmittelbar auf die ersten Leiterbahnen (11) abgeschieden wird, wobei zumindest einige der zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) über Seitenwände (17) der Substratstücke (16) bis zu den ersten Leiterbahnen (11) führen.</p> |
