Halbleiterbauelement mit Spannungskompensationsstruktur

摘要

Verfahren zum Herstellen einer Spannungskompensationsstruktur, das Folgendes umfasst: Ätzen eines Grabens (310) in ein epitaxiales Halbleitermaterial (300), dotiert mit Dotieratomen vom n-Typ und Dotieratomen vom p-Typ mit um weniger als 50% differierenden Diffusionskonstanten in dem epitaxialen Halbleitermaterial; Anordnen eines ersten Halbleiter- oder Isoliermaterials (316) entlang einer oder mehreren Seitenwänden (312) des Grabens (310), wobei das erste Halbleiter- oder Isoliermaterial eine Dotierstoffdiffusionskonstante aufweist, die für die Dotieratome vom n-Typ um mindestens den Faktor 2 von denen der Dotieratome vom p-Typ abweicht; Anordnen eines zweiten Halbleitermaterials (318) in dem Graben entlang dem ersten Halbleiter- oder Isoliermaterial (316), wobei das zweite Halbleitermaterial (318) eine andere Dotierstoffdiffusionskonstante als das erste Halbleiter- oder Isoliermaterial (316) aufweist; und Diffundieren von mehr Dotieratomen vom n-Typ oder Dotieratomen vom p-Typ aus dem epitaxialen Halbleitermaterial (300) durch das erste Halbleiter- oder Isoliermaterial (316) in das zweite Halbleitermaterial (318) als die andere Art von Dotieratomen, so dass es zwischen dem zweiten Halbleitermaterial (318) und dem epitaxialen Halbleitermaterial (300) zu einer seitlichen Ladungstrennung kommt.