| 发明名称 | 阻变存储器中钨氧化物变阻材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阻变存储器中钨氧化物变阻材料的制备方法，该方法采用PECVD O<sub>2</sub>plasma方法对钨表面进行氧化，来制备所述钨氧化物变阻材料。本发明通过采用PECVD氧化方法制备WOx，提高了RRAM中的变阻材料WOx表面的氧含量，从而在保持忆阻特性的前提下，提升了RRAM的初始电阻和最小操作电流，为RRAM的发展提供了更宽阔的选择。 | ||
| 申请公布号 | CN103794718A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201210427831.8 | 申请日期 | 2012.10.31 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 许毅胜;熊涛;陈广龙;陈华伦 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 阻变存储器中钨氧化物变阻材料的制备方法，其特征在于，采用等离子增强化学气相沉积方法对钨表面进行氧化，制备所述钨氧化物变阻材料。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||