一种SOI体电阻建模方法

摘要

本发明公开了一种SOI体电阻建模方法，该方法包括：步骤1：计算中性体区横截面面积；步骤2：根据中性体区横截面面积建立SOI体电阻初步模型；步骤3：对SOI体电阻初步模型进行优化，形成最终的SOI体电阻模型。利用本发明，实现了对体电阻的精确计算，体现了电压偏置对体电阻的影响，使得器件的模拟更加准确，从而确保电路的模拟结果更加可靠。

主权项

一种SOI体电阻建模方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：计算中性体区横截面面积；步骤2：根据中性体区横截面面积建立SOI体电阻初步模型；步骤3：对SOI体电阻初步模型进行优化，形成最终的SOI体电阻模型；其中，所述步骤1包括：先计算不同偏置下耗尽区的宽度Xdf、Xdb、a1和a2，然后根据公式S1＝(Dldd‑Xdf)×(l‑a1‑a2‑2ol)和S2＝(tsi‑Dldd‑Xdb)×(l+l‑a1‑a2)/2计算中性体区横截面面积S＝S1+S2，其中Xdf为正界面的耗尽层宽度，Xdb为背界面的耗尽层宽度，ol为交叠长度，l为器件沟道长度，a1和a2分别为源体pn结合漏体pn结在体区的耗尽层宽度，Dldd为LDD结构的深度，a1、a2、Xdf、Xdb都和电压偏置相关。