发明名称 |
用于生长碘化锶晶体的嵌套式坩埚及生长碘化锶晶体的方法 |
摘要 |
本发明涉及用于生长碘化锶晶体的嵌套式坩埚及生长碘化锶晶体的方法,所述嵌套式坩埚包括用于容纳晶体生长原料的内层坩埚和用于提供密封环境的可抽真空的外层坩埚,其中所述外层坩埚为石英坩埚,所述内层坩埚为金属基坩埚或碳基坩埚;所述外层坩埚比所述内层坩埚长,以能够在熔封后完全包围所述内层坩埚;所述内层坩埚的外壁与所述外层坩埚的内壁之间的间距不小于0.6mm。本发明的嵌套式坩埚结合了石英坩埚、金属基和碳基坩埚的优点,有效地消除了它们各自的劣势,从而可以用于高质量的非掺杂和掺杂碘化锶晶体的生长。 |
申请公布号 |
CN103789832A |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN201410053534.0 |
申请日期 |
2014.02.17 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
发明人 |
陈俊锋;杜勇;王绍华;陈立东 |
分类号 |
C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 |
代理人 |
曹芳玲;郑优丽 |
主权项 |
一种用于生长碘化锶晶体的嵌套式坩埚,其特征在于,包括用于容纳晶体生长原料的内层坩埚和用于提供密封环境的可抽真空的外层坩埚,其中所述外层坩埚为石英坩埚,所述内层坩埚为金属基坩埚或碳基坩埚;所述外层坩埚比所述内层坩埚长,以能够在熔封后完全包围所述内层坩埚;所述内层坩埚的外壁与所述外层坩埚的内壁之间的间距不小于0.6mm。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |