发明名称 |
一种高频大功率碳化硅MOSFET模块 |
摘要 |
一种高频大功率碳化硅MOSFET模块,它包括散热基板、壳体,封装于壳体内的电路结构,壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖,电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片;所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上,在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片,碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来,并通过铝线将碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来,至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上;它可应用于开关频率超过500kHz、输出功率超过100kW应用领域。 |
申请公布号 |
CN103794578A |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN201410033879.X |
申请日期 |
2014.01.24 |
申请人 |
嘉兴斯达微电子有限公司 |
发明人 |
刘志宏 |
分类号 |
H01L23/36(2006.01)I;H01L23/492(2006.01)I;H01L23/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/36(2006.01)I |
代理机构 |
杭州九洲专利事务所有限公司 33101 |
代理人 |
翁霁明 |
主权项 |
一种高频大功率碳化硅MOSFET模块,它包括散热基板、壳体,封装于壳体内的电路结构,壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖,电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片; 其特征在于所述绝缘陶瓷基板(9)通过高温回流焊接到散热基板(1)上,在绝缘陶瓷基板(9)上焊接有碳化硅mosfet芯片(10)和碳化硅SBD芯片(12、13),碳化硅mosfet芯片(10)、碳化硅SBD芯片(12、13)与绝缘陶瓷基板(9)上刻蚀的电路结构连接起来,并通过铝线将碳化硅mosfet芯片(10)、碳化硅SBD芯片(12、13)相互之间连接起来,至少三个功率端子(6)焊接在绝缘陶瓷基板(9)的对应位置上。 |
地址 |
314006 浙江省嘉兴市中环南路斯达路18号 |