| 发明名称 | 一种蚀刻剂及其制备和应用 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种蚀刻剂，其是由硫酸和过硫酸铵组成，过滤酸铵的质量浓度为1-25%。硫酸为98%质量浓度的硫酸。本发明还提出制备该蚀刻剂的方法，其是将过硫酸铵加入100-200℃的硫酸中。本发明用过硫酸铵替代氧化剂过氧化氢。过硫酸铵是一种粉末，使操作更简单；本发明提出的蚀刻剂处理晶片或光掩模，因为硫酸是与有机物反应的副产物，而不是水，所以多次清洗后蚀刻剂也不会被稀释，节约了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103013523B | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201210540299.0 | 申请日期 | 2012.12.13 |
| 申请人 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 发明人 | 萨莉·安·亨利;黄金涛;马嘉;吴仪;苏宇佳 |
| 分类号 | C09K13/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C09K13/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 应用蚀刻剂清洗晶片或光掩模的方法，所述蚀刻剂由硫酸和过硫酸铵组成，所述过硫酸铵的质量浓度为5‑10%，所述硫酸为97‑99%质量浓度的硫酸；所述的方法，是将过硫酸铵加入100‑200℃的硫酸中，搅拌溶解，过硫酸铵溶解后将待清洗的晶片或光掩模浸入所述蚀刻剂，浸泡5‑20分钟，取出晶片或光掩模。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层 | ||