发明名称 |
背接触硅太阳能电池的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:(1)在硅片表面开设孔洞,然后在其受光面进行制绒;(2)在硅片的受光面扩散制结,在硅片受光面、周边及孔洞内形成PN结;(3)在硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜;(4)对硅片周边进行刻蚀,去除硅片周边的透明导电膜和PN结;然后在硅片受光面的透明导电膜上镀设减反射膜;(5)在硅片的非镀膜面上制备贯孔电极、背金属电极、背钝化场,即可得到所述背接触硅太阳能电池。本发明制备得到的背接触硅太阳能电池的受光面没有电极遮挡,避免了遮光损失,显著提高了光电转化效率;需要开设的孔洞也大大减少,从而大大降低了碎片率,而且简化了制备工序。 |
申请公布号 |
CN102403405B |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN201110373861.0 |
申请日期 |
2011.11.22 |
申请人 |
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 |
发明人 |
吴坚;王栩生;章灵军 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
陶海锋;陆金星 |
主权项 |
一种背接触硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1) 在硅片的受光面进行制绒,然后开设孔洞;(2) 在上述硅片的受光面扩散制结,在硅片受光面、周边及孔洞内形成PN结;(3) 去除磷硅或硼硅玻璃后,在上述硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜;(4) 对硅片周边进行刻蚀,去除硅片周边的透明导电膜和PN结;然后在硅片受光面的透明导电膜上镀设减反射膜;(5) 在上述硅片的非镀膜面上制备贯孔电极、背金属电极、背钝化场,即可得到所述背接触硅太阳能电池;所述贯孔电极与透明导电膜电连通;所述步骤(1)中孔洞的数量为9~100个。 |
地址 |
215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 |