| 发明名称 | 半导体衬底的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体衬底的形成方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第一区域和第二区域；对所述硅衬底进行离子注入，在硅衬底表面形成离子注入层；在所述离子注入层表面形成掩膜层，所述硅衬底的第一区域上方的掩膜层中形成有开口；以所述掩膜层为掩模，沿开口刻蚀所述离子注入层和硅衬底，形成凹槽；去除所述掩膜层；沿所述凹槽的底部和侧壁刻蚀硅衬底的第一区域，形成空腔；在所述空腔内填充满氧化层。本发明半导体衬底的形成方法工艺简单，制造成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN103794542A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201210423009.4 | 申请日期 | 2012.10.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘佳磊 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体衬底的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第一区域和第二区域；对所述硅衬底进行离子注入，在硅衬底表面形成离子注入层；在所述离子注入层表面形成掩膜层，所述硅衬底的第一区域上方的掩膜层中形成有开口；以所述掩膜层为掩模，沿开口刻蚀所述离子注入层和硅衬底，形成凹槽；去除所述掩膜层；沿所述凹槽的底部和侧壁刻蚀硅衬底的第一区域，形成空腔；在所述空腔内填充满氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||