一种用于抑制癌细胞增殖的苯基修饰材料

摘要

本发明公开了一种苯基修饰材料及其制备方法与应用。该苯基修饰材料是按照包括下述步骤的方法制备得到的：1）以含苯基的硫醇为溶质、无水乙醇为溶剂，制备质量浓度为0.8～1.5%的硫醇溶液，并于3～8℃静置12～24h；所述含苯基的硫醇，其分子式为C₆H₆(CH₂)_nSH，n为正整数；2）在单晶硅片表面生长钛（Ti）过渡层，再在所述钛过渡层上生长金层，得到镀金硅片；3）在避光条件下，将步骤2)所述镀金硅片放入步骤1）制备的硫醇溶液中，静置12～24h，即得所述苯基修饰材料。本发明提供的苯基修饰材料可以抑制乳腺癌细胞的黏附、迁移和增殖。

主权项

苯基修饰材料在下述1）或2）中的应用：1）在制备促进乳腺癌细胞内雌激素受体2基因表达的产品中的应用；2）在制备抑制乳腺癌细胞内迁移、增殖相关基因表达的产品中的应用；所述苯基修饰材料的制备方法，包括下述步骤：1）以含苯基的硫醇为溶质、无水乙醇为溶剂，制备质量浓度为0.8～1.5%的硫醇溶液，并于3～8℃静置4～24h；其中，所述含苯基的硫醇，其分子式为C₆H₅(CH₂)_nSH，n为正整数；在制备硫醇溶液的过程中需要避光溶解；2）在单晶硅片表面生长钛过渡层，再在所述钛过渡层上生长金层，得到镀金硅片；所述单晶硅片的厚度为0.5～1mm；所述钛过渡层的厚度为8～12nm；所述金层的厚度为30～50nm；所述单晶硅片为单晶硅<100>；所述金层为金<111>；所述生长钛过渡层的方法以及生长金层的方法选自下述任意一种：等离子溅射法、磁控溅射法和分子束外延生长法；所述单晶硅片在使用前还需进行下述清洁处理：将所述单晶硅片在浓硫酸和双氧水体积比为3:1的混合液中清洗2次，再用三蒸水清洗3次，氮气环境下烘干；所述浓硫酸的质量浓度为98%，所述双氧水的质量浓度为50%；3）对步骤2）得到的镀金硅片进行下述处理的步骤：将所述镀金硅片在浓硫酸和双氧水体积比为3:1的混合液中清洗2次，再用三蒸水清洗3次，氮气环境下烘干；所述浓硫酸的质量浓度为98%，所述双氧水的质量浓度为50%；然后，在避光条件下，将所述镀金硅片放入步骤1）制备的硫醇溶液中，静置4～24h，即得所述苯基修饰材料。