发明名称 |
以高分辨率可变初始编程脉冲对非易失性存储器编程 |
摘要 |
对于多个非易失性存储器元件执行多个编程处理。每个所述编程处理用于使用编程脉冲至少将非易失性存储器元件的子集编程至相应的目标条件集合。至少所述编程处理的子集包括标识与实现相应编程处理的特定结果相关的编程脉冲并且在用于非易失性存储器元件的一个或多个可替选结果处执行一个或多个感测操作、如果所述一个或多个感测操作确定出多于预定数量的非易失性存储器元件实现所述一个或多个可替选结果的第一可替选结果,则基于所述第一可替选结果和编程脉冲的标识,调整后续编程处理。如果所述一个或多个感测操作确定出少于所需数量的非易失性存储器元件实现任一所述可替选结果,则基于编程脉冲的标识,调整后续编程处理。 |
申请公布号 |
CN102203874B |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN200980142518.6 |
申请日期 |
2009.09.29 |
申请人 |
桑迪士克股份有限公司 |
发明人 |
格里特·简·海明克 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
杨生平;刘宗杰 |
主权项 |
一种对非易失性存储器编程的方法,包括:对多个非易失性存储器元件执行多阶段编程处理的一个阶段,该多阶段编程处理将所述多个非易失性存储器元件编程至一个或多个最终目标条件,所述一个阶段包括使用第一编程脉冲集合将所述多个非易失性存储器元件编程至一个或多个第一中间目标条件,执行所述一个阶段包括:标识与实现特定结果相关的编程脉冲;关于所述非易失性存储器元件的一个或多个可替选结果执行一个或多个感测操作;如果所述感测操作确定出大于预定数量的非易失性存储器元件实现了所述一个或多个可替选结果的第一可替选结果,则存储基于所述第一可替选结果和所标识的编程脉冲的标识;以及如果所述感测操作未确定出有足够数量的非易失性存储器元件实现所述一个或多个可替选结果,则存储基于所标识的编程脉冲的标识;以及执行所述多阶段编程处理的附加阶段,该附加阶段包括:施加第二编程脉冲集合,该第二编程脉冲集合的初始脉冲具有基于所存储的标识而设置的幅值。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |