| 发明名称 | 等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。 | ||
| 申请公布号 | CN101154569B | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN200710140294.8 | 申请日期 | 2003.06.24 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 山口智代;布瀬晓志;藤本究;本田昌伸;永关一也;高明辉;榎本隆;伊藤弘治;北村彰规 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内的工序，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F<sub>2</sub>光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体的工序；等离子体化所述处理气体的工序；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||